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半导体装置制造用片的制造方法 

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申请/专利权人:琳得科株式会社

摘要:本发明提供一种半导体装置制造用片的制造方法,该半导体装置制造用片依次层叠有基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及第二剥离膜,该制造方法包括:针对具备中间层、膜状粘合剂及第一剥离膜的第二中间层叠体,去除中间层及膜状粘合剂的至少一部分,得到第二中间层叠体加工物的第一加工工序;将具备基材及粘着剂层的第一中间层叠体与第二中间层叠体加工物贴合,得到第一层叠物的层叠工序;剥离第一层叠物的第一剥离膜,更换粘贴第二剥离膜,得到第二层叠物的更换粘贴工序;及针对第二层叠物,去除基材及粘着剂层的至少一部分,得到半导体装置制造用片的第二加工工序,第一剥离膜与膜状粘合剂之间的剥离力大于第二剥离膜与膜状粘合剂之间的剥离力。

主权项:1.一种半导体装置制造用片的制造方法,其中,所述半导体装置制造用片具备基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及第二剥离膜,所述半导体装置制造用片通过依次层叠所述基材、所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及所述第二剥离膜而构成,所述半导体装置制造用片的制造方法包括:在具备所述中间层、所述膜状粘合剂及第一剥离膜的第二中间层叠体的所述中间层及所述膜状粘合剂上,在对应于半导体装置制造用片的所述中间层及所述膜状粘合剂的外周的位置形成切口部C,去除位于以该切口部C为起点的外侧的所述中间层及所述膜状粘合剂的至少一部分,得到第二中间层叠体加工物的第一加工工序;将具备所述基材及所述粘着剂层的第一中间层叠体与所述第二中间层叠体加工物贴合,得到具备所述基材、所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及所述第一剥离膜的第一层叠物的层叠工序;将所述第一层叠物的所述第一剥离膜剥离,并更换粘贴第二剥离膜,得到第二层叠物的更换粘贴工序;及在所述第二层叠物的所述基材及所述粘着剂层上,在对应于半导体装置制造用片的所述基材及所述粘着剂层的外周的位置形成切口部C’,去除位于以该切口部C’为起点的外侧的所述基材及所述粘着剂层的至少一部分,得到半导体装置制造用片的第二加工工序,冲孔部位的所述切口部C’与所述切口部C为同心圆状且配置于所述切口部C的外侧,所述第一剥离膜与所述膜状粘合剂之间的剥离力大于所述第二剥离膜与所述膜状粘合剂之间的剥离力,在所述第一剥离膜的剥离处理面上涂布由以固体成分计为100质量份的丙烯酸树脂与以固体成分计为1质量份的交联剂构成的粘着剂组合物并使其干燥,由此形成厚度为10μm的单层的粘着剂层而得到第一试验片,其中所述丙烯酸树脂为由TOYOCHEMCO.,LTD.制造的ORIBAINBPS6367X,所述交联剂为由TOYOCHEMCO.,LTD.制造的BXX5640,针对该第一试验片,以1000mm分钟的剥离速度、23℃、湿度50%RH的条件,以使所述第一试验片的所述粘着剂层与所述第一剥离膜的剥离处理面彼此呈180°的角度的方式,将所述第一剥离膜从所述粘着剂层上剥离,通过该180°剥离而测定的所述粘着剂层与所述第一剥离膜之间的剥离力大于180mN50mm,剥离力的单位为mN50mm,在所述第二剥离膜的剥离处理面上涂布由以固体成分计为100质量份的丙烯酸树脂与以固体成分计为1质量份的交联剂构成的粘着剂组合物并使其干燥,由此形成厚度为10μm的单层的粘着剂层而得到第二试验片,其中所述丙烯酸树脂为由TOYOCHEMCO.,LTD.制造的ORIBAINBPS6367X,所述交联剂为由TOYOCHEMCO.,LTD.制造的BXX5640,针对该第二试验片,以1000mm分钟的剥离速度、23℃、湿度50%RH的条件,以使所述第二试验片的所述粘着剂层与所述第二剥离膜的剥离处理面彼此呈180°的角度的方式,将所述第二剥离膜从所述粘着剂层上剥离,通过该180°剥离而测定的所述粘着剂层与所述第二剥离膜之间的剥离力为180mN50mm以下。

全文数据:

权利要求:

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