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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
摘要：本发明公开一种具有辅助栅的闪存存储器及其制作方法，该具有辅助栅的闪存存储器具有两个浮动栅设置在基底上、一绝缘层形成在该两个浮动栅以及该基底上、一辅助栅设置在该两个浮动栅之间，其中该辅助栅有部分包覆住该两个浮动栅、以及两个选择栅，分别设置在该两个浮动栅外侧且有部分与该浮动栅重叠。
主权项：1.一种制作具有辅助栅的闪存存储器的方法，包含：提供基底，该基底上依序具有隧穿氧化层与第一多晶硅层；进行第一蚀刻制作工艺蚀刻该多晶硅层以及该隧穿氧化层，形成两个浮动栅；在该两个浮动栅以及该基底上形成一共形的绝缘层；在该绝缘层上形成第二多晶硅层；以及进行第二蚀刻制作工艺蚀刻该第二多晶硅层，以同时形成一辅助栅与两个选择栅，其中该辅助栅形成在该两个浮动栅之间的该绝缘层上，且该辅助栅有部分包覆住该两个浮动栅，该两个选择栅分别形成在该两个浮动栅外侧的该绝缘层上，且该选择栅有部分与该浮动栅重叠，其中形成该两个浮动栅的步骤还包含：在该第一多晶硅层上形成氮化硅层，其中该氮化硅层具有开口裸露出该第一多晶硅层；进行热氧化制作工艺，使从该开口裸露出的该第一多晶硅层氧化成牺牲氧化层；以及进行选择性蚀刻制作工艺移除该氮化硅层以及该牺牲氧化层，使得该第一多晶硅层具有从两侧向下凹的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 具有辅助栅的闪存存储器及其制作方法
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