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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种存储器器件，包括第一存储器阵列，包括第一存储器单元；第二存储器阵列，包括第二存储器单元；第三存储器阵列，包括第三存储器单元，第二存储器阵列沿着横向方向介于第一存储器阵列与第三存储器阵列之间；第一位线区段，沿着横向方向延伸并耦合到第一存储器单元中的每个；第二位线区段，沿着横向方向延伸并耦合到第二存储器单元中的每个；以及第三位线区段，沿着横向方向延伸并耦合到第三存储器单元中的每个。第一位线区段形成在第一金属化层中，第二位线区段形成在第二金属化层中，第三位线区段形成在第三金属化层中。本申请的实施例还提供了用于形成存储器器件的方法。
主权项：1.一种存储器器件，包括：第一存储器阵列，包括多个第一存储器单元，所述多个第一存储器单元沿着多个第一列中的对应一个列并且分别跨过多个第一行布置，其中，所述多个第一列中的每个沿着第一横向方向延伸，并且所述多个第一行中的每个沿着第二横向方向延伸；第一位线区段，沿着所述第一横向方向延伸并且可操作地耦合到所述多个第一存储器单元中的每个，其中，所述第一位线区段设置在所述多个第一存储器单元之上的多个金属化层中的第一金属化层内；第二位线区段，也沿着所述第一横向方向延伸，但是可操作地与所述多个第一存储器单元中的任何第一存储器单元隔离，其中，所述第二位线区段设置在所述多个金属化层中的第二金属化层内；以及第三位线区段，也沿着所述第一横向方向延伸，但是可操作地与所述多个第一存储器单元中的任何第一存储器单元隔离，其中，所述第三位线区段设置在所述多个金属化层中的第三金属化层内；其中，所述第一位线区段具有沿着所述第一横向方向的第一长度，所述第二位线区段具有沿着所述第一横向方向的第二长度，并且所述第三位线区段具有沿着所述第一横向方向的第三长度，并且其中所述第一长度小于所述第二长度，并且所述第二长度小于所述第三长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器器件及其形成方法
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