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申请/专利权人：北极星特许集团有限责任公司
摘要：一种用于形成存储器阵列的方法包括形成衬底，所述衬底包括导电层、导电层上方的第一绝缘体层、第一绝缘体层上方的牺牲材料层以及牺牲材料层上方的第二绝缘体层。包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠形成在第二绝缘体层上方。形成穿过绝缘层和字线层的沟道材料。形成穿过堆叠到牺牲材料层的水平伸长沟槽。通过水平伸长沟槽相对于第一绝缘体层的材料选择性地且相对于第二绝缘体层的材料选择性地蚀刻牺牲材料。沟道材料的横向外部侧壁暴露在牺牲材料层中。直接抵靠牺牲材料层中的沟道材料的横向外部侧壁形成导电结构。导电结构延伸穿过第一绝缘体层且将沟道材料直接电耦合到导电层。公开了结构实施例。
主权项：1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：形成衬底，所述衬底包括导电层、所述导电层上方的第一绝缘体层、所述第一绝缘体层上方的牺牲材料层、所述牺牲材料层上方的第二绝缘体层、所述第二绝缘体层上方的导电掺杂的半导电材料层，以及所述导电掺杂的半导电材料层上方的包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠；形成穿过所述绝缘层、所述字线层及所述导电掺杂的半导电材料层而到所述导电层的沟道材料；形成穿过所述堆叠到所述牺牲材料层的水平伸长沟槽；通过所述水平伸长沟槽选择性地相对于所述第一绝缘体层的材料、选择性地相对于所述第二绝缘体层的材料、且选择性地相对于所述导电掺杂的半导电材料层而蚀刻所述牺牲材料，并且暴露所述牺牲材料层中的、所述第二绝缘体层中的、所述导电掺杂的半导电材料层中的、及在所述导电掺杂的半导电材料层上方的所述沟道材料的横向外部侧壁；以及形成直接抵靠所述牺牲材料层、所述第二绝缘体层、所述导电掺杂的半导电材料层中的、及在所述导电掺杂的半导电材料层上方的所述沟道材料的所述横向外部侧壁的导电结构，所述导电结构延伸穿过所述第一绝缘体层且将所述沟道材料直接电耦合到所述导电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北极星特许集团有限责任公司 存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法
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