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申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
摘要：本发明公开一种嵌入式闪存高压器件及其制备方法，其中，嵌入式闪存高压器件为HVNMOS器件，且其栅极为P型栅。由此，得到的嵌入式闪存HVNMOS器件的阈值电压大约为‑0.9V；而常规的、栅极为N型栅的嵌入式闪存HVNMOS器件的阈值电压大约为‑1.5V；可见，与常规的嵌入式闪存HVNMOS器件相比，本申请的嵌入式闪存HVNMOS的阈值电压降低、读的电流增加、读的窗口增加，从而为器件的缩小提供了方便。
主权项：1.嵌入式闪存高压器件，其特征在于，所述高压器件为HVNMOS器件，且其栅极为P型栅。
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权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 嵌入式闪存高压器件及其制备方法
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