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申请/专利权人：长飞先进半导体(武汉)有限公司
摘要：本发明公开了一种双栅半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，双栅半导体器件包括：衬底；半导体外延层，位于衬底的一侧；第一栅极沟槽和第一栅极结构；第一栅极沟槽位于半导体外延层远离衬底一侧的表面，第一栅极结构位于第一栅极沟槽中；第二栅极沟槽和第二栅极结构；第二栅极沟槽位于第一栅极沟槽靠近衬底的一侧，第二栅极结构位于第二栅极沟槽中；第一电极，位于衬底远离半导体外延层的一侧；第二电极，位于半导体外延层远离衬底一侧的表面；其中，第一栅极结构和第二栅极结构同步输入栅极电压。本发明实施例提供的技术方案，降低了导通电阻的同时，提高了器件的击穿电压。
主权项：1.一种双栅半导体器件，其特征在于，包括：衬底；半导体外延层，位于所述衬底的一侧；第一栅极沟槽和第一栅极结构；所述第一栅极沟槽位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的表面，所述第一栅极结构位于所述第一栅极沟槽中；第二栅极沟槽和第二栅极结构；所述第二栅极沟槽位于所述第一栅极沟槽靠近所述衬底的一侧，所述第二栅极结构位于所述第二栅极沟槽中；第一电极，位于所述衬底远离所述半导体外延层的一侧；第二电极，位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的表面；其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构同步输入栅极电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长飞先进半导体(武汉)有限公司 双栅半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆
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