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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供一种电阻式存储器和操作存储器的方法。所述电阻式存储器包括：存储器单元阵列、写入读取电路和控制电路。存储器单元阵列包括多个电阻式存储器单元，所述多个电阻式存储器单元结合到多条字线和多条位线。写入读取电路通过行解码器和列解码器结合到存储器单元阵列，写入读取电路执行将写入数据写入存储器单元阵列的目标页中的写入操作，并通过将从目标页读取的读取数据与写入数据进行比较来验证写入操作。控制电路控制行解码器、列解码器和写入读取电路中的至少一个，以基于地址根据从接入点到存储器单元阵列中的选择的存储器单元的距离控制选择的存储器单元经受的电阻。
主权项：1.一种电阻式存储器，包括：存储器单元阵列，包括多个电阻式存储器单元，所述多个电阻式存储器单元连接到多条字线和多条位线；写入读取电路，通过行解码器和通过列解码器连接到存储器单元阵列，写入读取电路被配置为执行将写入数据写入存储器单元阵列的目标页的写入操作，并被配置为通过将从目标页读取的读取数据与写入数据进行比较来验证写入操作；和控制电路，被配置为控制行解码器、列解码器和写入读取电路中的至少一个，控制电路被配置为：通过以多步调节选择的位线的电压电平或选择的字线的编程电流，来控制沿着包括选择的存储器单元的电流路径的电阻，所述电阻基于从至少一个接入点到存储器单元阵列中的选择的存储器单元的至少一个距离，所述至少一个距离基于地址，多步的数量基于所述至少一个距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 电阻式存储器和操作存储器的方法
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