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申请/专利权人：无锡锡产微芯半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率器件，尤其是一种具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件。按照本发明提供的技术方案，一种具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，所述屏蔽栅功率器件包括：半导体基板，呈第一导电类型；有源区，分布于半导体基板的中心区域，包括若干SGT元胞以及至少一个类肖特基二极管，其中，所述类肖特基二极管为沟槽型类肖特基二极管，所述类肖特基二极管包括位于有源区内的类二极管沟槽；在有源区内，类二极管沟槽的槽深大于任一SGT元胞的元胞沟槽槽深。本发明能有效降低屏蔽栅功率器件的漏电流，增强雪崩能力，提高SGT功率器件工作时的稳定性及可靠性。
主权项：1.一种具有低漏电及快恢复能力的屏蔽栅功率器件，其特征是，所述屏蔽栅功率器件包括：半导体基板，呈第一导电类型；有源区，分布于半导体基板的中心区域，包括若干SGT元胞以及至少一个类肖特基二极管，其中，所述类肖特基二极管为沟槽型类肖特基二极管，所述类肖特基二极管包括位于有源区内的类二极管沟槽；在有源区内，类二极管沟槽的槽深大于任一SGT元胞的元胞沟槽槽深；对所述类肖特基二极管，包括填充于所述类二极管沟槽内的二极管电极体，其中，所述二极管电极体包括槽内第一电极体以及与所述槽内第一电极体对应的槽内第二电极体，且槽内第二电极体邻近所在类二极管沟槽的槽口；槽内第一电极体包括进入槽内第二电极体内的槽内第一电极体第一区域以及位于槽内第二电极体下方的槽内第一电极体第二区域，其中，槽内第一电极体第一区域通过电极体隔离介质层与槽内第二电极体间隔，槽内第一电极体第二区域利用槽内场氧化层与所在类二极管沟槽的底壁以及对应的侧壁绝缘隔离；槽内第二电极体利用槽内栅氧化层与所在类二极管沟槽的侧壁绝缘隔离，槽内栅氧化层的厚度小于槽内场氧化层的厚度，且槽内栅氧化层与槽内场氧化层接触；槽内第一电极体、槽内第二电极体均与半导体基板上方的器件第一电极金属电连接，其中，所述器件第一电极金属还与类二极管沟槽外侧相应的二极管第一导电类型源区以及横贯有源区的第二导电类型基区欧姆接触，二极管第一导电类型源区以及第二导电类型基区均与所述类二极管沟槽的外侧壁接触。
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