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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要：本申请公开了一种分子束外延超晶格材料生长速率的测试方法，涉及半导体技术，本申请的方法是在GaSb衬底上测试GaSb材料生长速率后，进行AlSb材料生长速率的测试，接着生长单层InSb材料用于补偿晶格失配，最后测试InAs材料的生长速率。GaSb衬底进行高温脱氧后，得到干净表面，此时打开Ga源的挡板以及RHEED的开关，进行GaSb材料的生长速率测试，测试完一次速率后，关闭Ga源挡板以及RHEED开关，通过计算RHEED振荡曲线峰值之间的平均时间来确定GaSb材料的生长速率，重复上述步骤完成GaSb生长速率的测试。本申请的方法实现利用GaSb衬底进行InAs、GaSb、AlSb材料生长速率的多次精确测试。
主权项：1.一种分子束外延超晶格材料生长速率的测试方法，其特征在于，包括：对GaSb衬底使用分子束外延设备进行预处理，以进行脱氧；在脱氧完成后，打开Ga源挡板，在衬底表面上生长第一预设时长的GaSb材料后，关闭Ga源挡板，降低衬底温度至超晶格材料的生长温度；打开Ga源挡板和RHEED开关，当出现设定数量的周期振荡曲线时，关闭Ga源挡板和RHEED开关，记录第一个最高峰和最后一个最高峰对应的时间差t1，以基于所述时间差t1计算GaSb材料的单层生长速率；打开Al源挡板和RHEED开关，当出现所述设定数量的周期振荡曲线时，关闭Al源挡板和RHEED开关，记录第一个最高峰和最后一个最高峰对应的时间差t2，以基于所述时间差t2计算AlSb材料的单层生长速率；打开Ga源挡板，生长GaSb材料，生长GaSb材料完成后关闭Ga源挡板，打开In源挡板第二预设时长，生长单层InSb平衡InAs与GaSb材料之间的晶格畸变；打开As源、关闭Sb源，等待第三预设时长，打开In源挡板和RHEED开关，当出现所述设定数量的周期振荡曲线时，关闭In源挡板和RHEED开关，记录第一个最高峰和最后一个最高峰对应的时间差t3，以基于所述时间差t3计算InAs材料的单层生长速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种分子束外延超晶格材料生长速率的测试方法
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