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申请/专利权人：南京云极芯半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种探针卡用氮化钽薄膜电阻的制造工艺，包括以下步骤：步骤10，对陶瓷基板进行研磨和清洗；步骤20，在陶瓷基板的背面进行干膜压覆和曝光，在陶瓷基板的正面进行光刻涂胶、曝光和显影，形成电阻电路图形；步骤30，采用等离子表面处理方法，对电阻电路图形表面进行处理；步骤40，利用磁控溅镀方法，在电阻电路图形上沉积形成氮化钽薄膜电阻；步骤50，去除干膜和光刻胶。本发明提供的一种探针卡用氮化钽薄膜电阻的制造工艺，减小电阻尺寸，满足探针卡高密度要求，提高探针卡的质量和性能。
主权项：1.一种探针卡用氮化钽薄膜电阻的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤10，对陶瓷基板进行研磨和清洗；步骤20，在陶瓷基板的背面进行干膜压覆和曝光，在陶瓷基板的正面进行光刻胶涂敷、曝光和显影，形成电阻电路图形；步骤30，采用等离子表面处理方法，对电阻电路图形表面进行处理；步骤40，利用磁控溅镀方法，在电阻电路图形上沉积形成氮化钽薄膜电阻；步骤50，去除干膜和光刻胶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京云极芯半导体科技有限公司 一种探针卡用氮化钽薄膜电阻的制造工艺
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