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一种制备碳化钽涂层的CVD装置及工艺方法 

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申请/专利权人:湖南联合半导体科技有限公司

摘要:本发明公开了一种制备碳化钽涂层的CVD装置,包括沉积炉、混合气体进气管道、五氯化钽粉体仓、螺旋输送机构、流化仓、进气装置、流化气体进气管道;所述流化仓位于所述五氯化钽粉体仓的下方;所述螺旋输送机构竖直设置,其上端连接于所述五氯化钽粉体仓,下端连接于所述流化仓;所述流化气体进气管道与所述螺旋输送机构的内腔连通,混合气体进气管道与所述流化仓连通;所述流化仓与所述进气装置连通,所述进气装置设置于所述沉积炉。本发明采用气体流化的方式输送五氯化钽粉体,并将五氯化钽粉体的蒸发置于炉体结构上,避免了五氯化钽高温气体的输送风险,有助于防止卡粉,提高了粉体原料输运稳定性。

主权项:1.一种制备碳化钽涂层的CVD装置,包括沉积炉和混合气体进气管道,其特征在于:还包括有:五氯化钽粉体仓、螺旋输送机构、流化仓、进气装置、流化气体进气管道;所述流化仓位于所述五氯化钽粉体仓的下方;所述螺旋输送机构竖直设置,其上端连接于所述五氯化钽粉体仓,下端连接于所述流化仓;所述流化气体进气管道与所述螺旋输送机构的内腔连通,混合气体进气管道与所述流化仓连通;所述流化仓与所述进气装置连通,所述进气装置设置于所述沉积炉。

全文数据:

权利要求:

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