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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明涉及光子晶体制备领域，尤其涉及一种百纳米级光子晶体的制备方法，包括：S1.在衬底片上制备硬掩模，在硬掩模上均匀涂覆正性光刻胶，硬掩模的厚度小于等于正性光刻胶的厚度；S2.使用紫外泰伯光刻机配合一维光栅掩模版对正性光刻胶进行多次欠曝光，再对多次欠曝光后的正性光刻胶进行后烘和显影，通过多次欠曝光的叠加，将一维光栅掩模版的图案变成正性光刻胶的预期图形；S3.对硬掩模进行刻蚀，将正性光刻胶的预期图形转移到硬掩模上，得到预期晶格形状的光子晶体。本方法将传统的一次曝光改变为多次泰伯欠曝光，每次欠曝光调整掩模版的角度，实现掩模版图案与光子晶体图形的一对多，从而提高图案的灵活度、降低了制备和研发成本。
主权项：1.一种百纳米级光子晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.在衬底片上制备硬掩模，在所述硬掩模上均匀涂覆正性光刻胶；其中，所述硬掩模的厚度小于等于所述正性光刻胶的厚度；S2.使用紫外泰伯光刻机配合一维光栅掩模版对所述正性光刻胶进行N次欠曝光，再对N次欠曝光后的正性光刻胶进行后烘和显影，通过N次欠曝光的叠加，将所述一维光栅掩模版的图案变成所述正性光刻胶的预期图形；其中，N≥2；S3.对所述硬掩模进行刻蚀，将所述正性光刻胶的预期图形转移到所述硬掩模上，得到预期晶格形状的光子晶体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 百纳米级光子晶体的制备方法
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