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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
摘要：本发明提供了一种晶体管结构及其制造方法，其制造方法包括：提供衬底；在有源区上形成虚拟栅极、源漏结构及层间介质层；依次去除虚拟栅极上的层间介质层及虚拟栅极，以形成第一栅极沟槽；利用第一栅极沟槽，蚀刻有源区及隔离结构以形成具有弧形底部的第二栅极沟槽，并在有源区形成弧形沟道，且蚀刻时有源区及隔离结构的刻蚀选择比为1.2：1～1:1.2；在第二栅极沟槽内形成栅极结构，栅极结构顺形地覆盖弧形沟道。本发明中，利用弧形沟道间接增加了其实际有效长度，有利于降低短沟道效应，提升晶体管性能，并且还具有制造工艺简单、制造成本低的特点。
主权项：1.一种晶体管结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，具有若干有源区及所述有源区之间的隔离结构；在所述有源区上形成虚拟栅极及源漏结构，并形成层间介质层覆盖所述虚拟栅极、所述源漏结构及所述隔离结构；依次去除所述虚拟栅极上的层间介质层及所述虚拟栅极，暴露所述有源区及所述隔离结构的表面以形成第一栅极沟槽；利用所述第一栅极沟槽，蚀刻所述有源区及所述隔离结构以形成具有弧形底部的第二栅极沟槽，并在所述有源区形成弧形沟道，且蚀刻时所述有源区及所述隔离结构的刻蚀选择比为1.2：1～1:1.2；在所述第二栅极沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构顺形地覆盖所述弧形沟道。
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百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 晶体管结构及其制造方法
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