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申请/专利权人：锦州精合半导体有限公司
摘要：本发明涉及硅部件加工技术领域，尤其涉及一种环形硅部件端面切削方法。一种环形硅部件端面切削方法，包括如下步骤；S1、盘铣刀走刀至环形硅部件上方的切削起点；S2、盘铣刀按照设定的切削参数采用螺旋切削方式进刀至目标切削深度的起始位置；S3、到达目标切削深度的起始位置后，盘铣刀采用水平切削方式切削环形硅部件的端面至目标切削深度的终点位置，目标切削深度的终点位置与目标切削深度的起始位置重合；S4、当切削完毕时，盘铣刀采用垂直加工面的方式直接退刀。从而消除了环形硅部件端面在加工过程中的进退刀痕迹，提高了环形硅部件端面的加工精度及硅部件加工的成品率，降低了加工成本。
主权项：1.一种环形硅部件端面切削方法，其特征在于，包括如下步骤；S1、盘铣刀（1）走刀至环形硅部件（2）待加工面上方的切削起点，所述盘铣刀（1）的直径大于所述环形硅部件（2）待切削端面的宽度；S2、所述盘铣刀（1）按照设定的切削参数采用螺旋切削方式进刀至目标切削深度的起始位置；S3、到达所述目标切削深度的起始位置后，所述盘铣刀（1）采用水平切削方式切削所述环形硅部件（2）的端面至目标切削深度的终点位置，所述目标切削深度的终点位置与所述目标切削深度的起始位置重合；S4、当切削完毕时，所述盘铣刀（1）采用垂直加工面的方式直接退刀；在步骤S2中，所述盘铣刀（1）螺旋切削的切削路径与水平面的夹角为1.5°-3°；在步骤S1中，当所述盘铣刀（1）位于所述切削起点时，所述盘铣刀（1）与所述环形硅部件（2）的待加工面的间距为0.2mm-0.3mm；在步骤S4中，所述盘铣刀（1）退刀时，所述盘铣刀（1）与已切削的待加工面的重叠量为所述盘铣刀（1）直径的120%-130%。
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