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申请/专利权人：钰创科技股份有限公司;发明创新暨合作实验室有限公司
摘要：本发明公开了一种存储单元结构。所述存储单元结构包含一硅基板，一晶体管，和一电容。所述硅基板具有一硅表面。所述晶体管耦接所述硅表面，其中所述晶体管包含一栅极结构，一第一导通区，以及一第二导通区。所述电容具有一存储电极，其中所述电容位在所述晶体管上方以及所述存储电极电耦接所述晶体管的第二导通区。所述电容包含一电容周边，以及所述晶体管是位在所述电容周边之内。因此，相较于现有技术所述存储单元结构具有更致密的结构，较小的面积，较低的漏电流，较高的电容值等优点。
主权项：1.一种存储单元结构，其特征在于包含：一硅基板，具有一硅表面；一晶体管，耦接所述硅表面，其中所述晶体管包含一栅极结构，一第一导通区，以及一第二导通区；及一电容，具有一存储电极，其中所述电容位在所述晶体管上方以及所述存储电极电耦接所述晶体管的第二导通区；其中所述电容包含一电容周边，所述晶体管是位在所述电容周边之内，所述存储电极是所述电容的下电极且覆盖所述晶体管的栅极结构的整个顶面，以及所述电容在所述晶体管上方钳住所述晶体管。
全文数据：
权利要求：
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