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申请/专利权人：硅电子股份公司
摘要：一种制造用于在其上构建III‑V族器件的衬底晶圆的方法，该方法包括提供硅单晶晶圆；在硅单晶晶圆的顶部表面下方形成吸除区域；形成表示衬底晶圆的顶部部分的富氮钝化层。
主权项：1.一种制造用于在其上构建III-V族器件的衬底晶圆的方法，所述方法包括：提供硅单晶晶圆；在所述硅单晶晶圆的顶部表面下方形成吸除区域；形成表示所述衬底晶圆的顶部部分的富氮钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 硅电子股份公司 制造用于在其上构建III-V族器件的衬底晶圆的方法和用于在其上构建III-V族器件的衬底晶圆
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