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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本申请提供了具有降低的RC的接触插塞及其形成方法。一种方法，包括：在层间电介质的侧壁上形成接触间隔物，其中接触间隔物围绕接触开口；在开口中和源极漏极区域上形成硅化物区域；沉积延伸到接触开口中的粘附层；以及执行处理工艺，使得对接触间隔物进行处理。处理工艺选自由氧化工艺、碳化工艺及其组合组成的组。该方法还包括在粘附层上方沉积金属阻挡物、沉积金属材料以填充接触开口、以及执行平坦化工艺以去除金属材料的位于层间电介质上方的多余部分。
主权项：1.一种方法，包括：在层间电介质的侧壁上形成接触间隔物，其中所述接触间隔物围绕接触开口；在所述接触开口中和源极漏极区域上形成硅化物区域；沉积延伸到所述接触开口中的粘附层；执行处理工艺，使得对所述接触间隔物进行处理，其中所述处理工艺选自由氧化工艺、碳化工艺及其组合组成的组；在所述粘附层上方沉积金属阻挡物；沉积金属材料以填充所述接触开口；以及执行平坦化工艺以去除所述金属材料的位于所述层间电介质上方的多余部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 具有降低的R/C的接触插塞及其形成方法
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