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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种套刻偏差的量测方法，在形成外延层之后，通过一次基于光学衍射的套刻误差量测，获取外延层上的第一当层对准标记和衬底上的前层对准标记的第一相对位移数据，并在涂覆光刻胶层之后，通过一次基于图像识别的套刻误差量测，获取光刻胶层上的第二当层对准标记和外延层上的第一当层对准标记的第二相对位移数据，最后根据第一相对位移数据和第二相对位移数据，获取外延层沉积后第二当层和前层真实的套刻偏差，解决了由于图形漂移导致光刻对位产生横向位移从而造成当层和前层之间的套刻偏差量测结果存在较大误差的问题，提高了套刻偏差的量测结果的准确性。
主权项：1.一种套刻偏差的量测方法，其特征在于，包括：提供一衬底，其中，将所述衬底定义为前层，所述衬底中形成有前层对准标记；通过外延工艺在所述衬底上形成外延层，其中，将所述外延层定义为第一当层，所述外延层中形成有第一当层对准标记；对形成所述外延层之后的半导体结构进行基于光学衍射的套刻误差量测，获取所述第一当层对准标记和所述前层对准标记的第一相对位移数据；在所述外延层表面涂覆光刻胶层，其中，将所述光刻胶层定义为第二当层，所述光刻胶层中形成有第二当层对准标记；对涂覆所述光刻胶层之后的半导体结构进行基于图像识别的套刻误差量测，获取所述第二当层对准标记和所述第一当层对准标记的第二相对位移数据；根据所述第一相对位移数据和所述第二相对位移数据，获取所述第二当层和所述前层的套刻偏差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 套刻偏差的量测方法
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