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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司
摘要：本发明的实施例提供了一种相邻主栅特定间距的背接触电池及光伏组件，涉及背接触电池技术领域。该相邻主栅特定间距的背接触电池包括硅片以及在硅片的背面交替设置的第一半导体层、第二半导体层，第一半导体层上设有透明导电膜层，第二半导体层上设有金属导电膜层，硅片的背面预设主栅或焊带的区域交替设有若干绝缘块，第一半导体层包括第一半导体开口区，第二半导体层包括第二半导体开口区，相邻两个绝缘块之间的间距为2mm‑6mm。缩小了间距能够大幅降低金属导电膜层的导电性要求，从而降低导电膜层的线电阻的要求，使得导电膜层可以采用高方阻的膜层结构，而且很容易实现透明导电膜层和金属导电膜层同时沉积且不影响电池效率。
主权项：1.一种相邻主栅特定间距的背接触电池，其特征在于，包括硅片（1）以及在所述硅片（1）的背面交替设置的第一半导体层、第二半导体层，所述第一半导体层上设有透明导电膜层（7），所述第二半导体层上设有金属导电膜层（8），所述硅片（1）的背面预设主栅（10）或焊带的区域交替设有若干绝缘块（9），所述第一半导体层包括第一半导体开口区（W1），所述第二半导体层包括第二半导体开口区（W2），所述第二半导体层的两端分别向外延伸，并覆盖在所述第一半导体层的部分背面，所述第一半导体层和第二半导体层在竖直方向上的层叠部分形成交叠区（W12），所述第一半导体层和所述第二半导体层之间将所述透明导电膜层（7）和所述金属导电膜层（8）隔离开形成隔离区（W3），所述隔离区（W3）位于所述交叠区（W12）内，或所述隔离区（W3）跨接所述交叠区（W12）和所述第二半导体开口区（W2），或所述隔离区（W3）跨接所述第一半导体开口区（W1）和所述第二半导体开口区（W2）；其中，所述金属导电膜层（8）的厚度为30nm-200nm，所述透明导电膜层（7）和所述金属导电膜层（8）形成的叠层方阻为0.5Ω□-5Ω□，相邻两个所述绝缘块（9）之间的间距为2mm-6mm，相邻两个所述绝缘块（9）之间的间距与所述金属导电膜层（8）的厚度的比值为10:200。
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权利要求：
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