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申请/专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种反极性红光LED芯片及其制作方法。一种反极性红光LED芯片，包括从下至上依次设置的P电极、Si衬底、第一键合层、第二键合层、阻挡层、银镜面层、介质膜层、GaP窗口层、P型半导体层、发光层、N型半导体层以及N电极；所述N型半导体层包括设置于所述粗化层上表面的GaAs欧姆接触环；所述N电极包括电极镜面层、电极内层和电极外层；所述电极镜面层嵌入至所述GaAs欧姆接触环中。本申请提供的反极性LED芯片具有高亮度、性能可能稳定、生产成本低的优点。
主权项：1.一种反极性红光LED芯片，其特征在于，包括从下至上依次设置的P电极、Si衬底、第一键合层、第二键合层、阻挡层、银镜面层、介质膜层、GaP窗口层、P型半导体层、发光层、N型半导体层以及N电极；所述N型半导体层包括从下至上依次设置的N型限制层、电流扩展层、粗化层，以及设置于所述粗化层上表面的GaAs欧姆接触环；所述N电极包括电极镜面层、电极内层和电极外层；所述电极镜面层与所述GaAs欧姆接触环形状相适配，且所述电极镜面层完全嵌入至所述GaAs欧姆接触环中，且所述电极镜面层的下表面与所述粗化层上表面相接触；所述电极镜面层的制备材料包括依次蒸镀的Ag和TiW；所述电极内层覆盖设置于嵌有电极镜面层的GaAs欧姆接触环的的外表面，所述电极内层采用多层结构，其中一芯层的制备材料为AlCu；所述电极外层覆盖设置于所述电极内层的外表面；所述介质膜层具有若干通孔，所述通孔内设置有欧姆接触块；所述银镜面层具有若干凸块，所述凸块与所述通孔形状相适配并嵌入至所述通孔中，所述凸块顶部具有凹槽，所述欧姆接触块的形状与所述凹槽相适配，且所述欧姆接触块嵌入至所述凹槽中；所述欧姆接触块的上表面与所述GaP窗口层下表面相接触。
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权利要求：
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