首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种光伏N型TOPCon电池ALD钝化膜制造工艺 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:无锡松煜科技有限公司

摘要:本发明公开了一种光伏N型TOPCon电池ALD钝化膜制造工艺,包括以下步骤:步骤S1,在工艺腔室内放入经湿法工序处理后的基体,在工艺腔室内形成真空恒温环境,目标温度为200‑300℃;步骤S2,在工艺腔室内循环通入O3气体,清除硅片表面的湿法残留并制备SiO2薄膜;步骤S3,在工艺腔室内通入H2O蒸汽,在SiO2表面沉积形成钝化界面;步骤S4,在工艺腔室内交替通入TMA和H2O蒸汽,生长出高钝化的Al2O3薄膜;步骤S5,吹扫破真空,完成工艺。本发明可有效的清除硅片表面的湿法残留,对提升电池Eta(转换效率)有明显作用。

主权项:1.一种光伏N型TOPCon电池ALD钝化膜制造工艺,其特征在于:包括以下步骤:步骤S1,在工艺腔室内放入经湿法工序处理后的基体,在工艺腔室内形成真空恒温环境,目标温度为200-300℃;步骤S2,在工艺腔室内循环通入O3气体,持续时间为30-200s,再通入N2吹扫,吹扫时间为0-100s,执行1-5个循环,清除硅片表面的湿法残留并制备SiO2薄膜;步骤S3,在工艺腔室内通入H2O蒸汽,持续时间为5-30s,再通入N2吹扫0-100s,在SiO2表面沉积形成钝化界面;步骤S4,在工艺腔室内交替通入TMA和H2O蒸汽,生长出高钝化的Al2O3薄膜;步骤S5,吹扫破真空,完成工艺。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 无锡松煜科技有限公司 一种光伏N型TOPCon电池ALD钝化膜制造工艺

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。