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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了基于ALD技术构筑的硅碳负极人工SEI，包括纳米硅、MOFs衍生的氮掺杂微孔碳和二氧化钛纳米膜，MOFs衍生的氮掺杂微孔碳为硅宿主，纳米硅为活性物质，纳米硅均匀分布在宿主内部，原子层沉积的二氧化钛纳米膜包覆在MOFs衍生的氮掺杂微孔碳表面构筑人工SEI。本发明还公开了基于ALD技术构筑的硅碳负极人工SEI的制备方法，通过将活性物质纳米硅与高孔隙率、高导电率的MOFs衍生碳原位复合，并利用ALD技术构筑二氧化钛人工SEI，以高稳定性的MOFs衍生碳骨架为宿主，缓解被原位封装其中的硅纳米颗粒在储锂过程中的体积膨胀，提高了活性物质的利用率。
主权项：1.基于ALD技术构筑的硅碳负极人工SEI，其特征在于，包括纳米硅、MOFs衍生的氮掺杂微孔碳和二氧化钛纳米膜，MOFs衍生的氮掺杂微孔碳为硅宿主，纳米硅为活性物质，纳米硅均匀分布在宿主内部，原子层沉积的二氧化钛纳米膜包覆在MOFs衍生的氮掺杂微孔碳表面构筑人工SEI。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 基于ALD技术构筑的硅碳负极人工SEI及其制备方法
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