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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文的系统和方法的实施方式涉及经由ALD或CVD在处理腔室的多个内部部件上原位形成保护膜。涂布有保护膜的内部部件包括腔室侧壁、腔室底部、基板支撑基座、喷头、和腔室顶部。保护膜可为具有包括非晶Si、碳硅烷、多晶硅、SiC、SiN、SiO2、Al2O3、AlON、HfO2、或Ni3Al的各种组成物，且在厚度上可从约80nm至约250nm变化。
主权项：1.一种处理基板的方法，包括：导入至少一种气体至处理腔室；响应于所述至少一种气体在所述处理腔室中的导入，从所述处理腔室的多个内部部件移除第一保护膜；在所述处理腔室中经由ALD或CVD在所述多个内部部件上形成第二保护膜，所述内部部件包括腔室侧壁、腔室底部、基板支撑基座、喷头、和腔室顶部，其中所述第二保护膜和所述第一保护膜由相同的材料组成，所述第一保护膜和所述第二保护膜包括Al2O3、AlON、HfO2、或Ni3Al；和在形成所述第二保护膜之后，将基板定位在所述基板支撑基座上，其中所述基板与所述基板支撑基座的一部分接触，所述部分不包括所述第二保护膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 控制金属污染的腔室的原位CVD和ALD涂布
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