龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中润新能源(徐州)有限公司;中润新能源(滁州)有限公司
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池及其制备工艺，属于太阳能电池技术领域，一种TOPCon电池，包括单晶衬底，所述单晶衬底的一侧表面依次设置有背场层、导电钝化层、绝缘钝化层和电极；所述背场层包括沿背离单晶衬底方向依次设置的隧穿氧化层和多晶硅层，所述导电钝化层包括沿背离单晶衬底方向依次设置的隧穿层和导电层；所述电极的一端烧穿绝缘钝化层与导电钝化层接触。本发明的TOPCon电池采用增加一层导电钝化层以增加钝化可靠性，提高产品性能的稳定性；该TOPCon电池结构电极烧穿绝缘层与导电层接触不直接与背面多晶硅层后表面场区域接触，这样不仅可以增加电池片的钝化效果，还可以有效避免电极银浆烧穿多晶硅层后破坏到隧穿氧化层导致的隧穿效果失效。
主权项：1.一种TOPCon电池，其特征在于，包括：单晶衬底，所述单晶衬底的一侧表面依次设置有背场层、导电钝化层、绝缘钝化层和电极；所述背场层包括沿背离单晶衬底方向依次设置的隧穿氧化层和多晶硅层，所述导电钝化层包括沿背离单晶衬底方向依次设置的隧穿层和导电层；所述电极的一端烧穿绝缘钝化层与导电钝化层接触，并不与背场层接触；所述多晶硅层的厚度为5-30nm，导电层的厚度为30-50nm；所述电极的一端烧穿绝缘钝化层并完全贯穿导电层与隧穿层背离单晶衬底的一侧表面接触；所述导电层的材质为TCO玻璃、ITO导电玻璃、AZO导电玻璃、非晶硅或高浓度掺杂多晶硅中的任意一种或多种组合；所述高浓度掺杂多晶硅中掺杂元素含量与硅元素含量的质量之比为（0.6-1）：1；所述多晶硅层的材质为非晶硅、本征多晶硅或低浓度掺杂多晶硅中的任意一种或多种组合；所述低浓度掺杂多晶硅中掺杂元素含量与硅元素含量的质量之比为（0.3-0.5）：1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中润新能源(徐州)有限公司 中润新能源(滁州)有限公司 一种TOPCon电池及其制备工艺
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号