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申请/专利权人：天津理工大学
摘要：一种碘铋银单晶的制备方法，首先将符合一定摩尔比的AgI和BiI3原料抽真空密封在生长坩埚中，然后装入合料炉内，合料炉先升温到BiI3熔点之上，通过摇摆使BiI3混合均匀，将合料炉升温到AgI熔点之上，通过摇摆使AgI和BiI3混合均匀，获得成分均匀的碘铋银多晶锭，将多晶锭放入生长炉，设定生长控制参数进行碘铋银晶体生长，最终生长出高质量碘铋银单晶。本发明制备方法简单、成本低，通过控制合适的晶体生长参数，可制备出大尺寸的无开裂碘铋银单晶，解决了现有碘铋银单晶制备方法复杂和晶体开裂的技术问题。同时，多晶料合成和晶体生长在一个坩埚内，避免了原料的污染。采用本申请的制备方法生长获得的碘铋银单晶，具有缺陷密度低、光电性能优异等优点。
主权项：1.一种碘铋银单晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：原料封装、多晶料合成、晶体生长、退火处理，降温处理。
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百度查询： 天津理工大学 一种碘铋银单晶的制备方法
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