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申请/专利权人：深圳平湖实验室
摘要：本公开提供了一种单晶金刚石外延片及其制备方法、金刚石外延层生长用基片及单晶金刚石基板的制备方法，涉及半导体材料技术领域，旨在解决现有的单晶金刚石基板杂质多且表面粗糙度高的问题。单晶金刚石外延片包括：籽晶层和生长于所述籽晶层上的至少一组叠层结构，所述叠层结构包括：沿第一方向层叠设置的掺杂层和外延层，所述掺杂层的材料为包含第一杂质的单晶金刚石，所述第一杂质在所述掺杂层中是替位式杂质，所述外延层的材料包括单晶金刚石；其中，所述第一方向为垂直于所述籽晶层且远离所述籽晶层的方向。上述单晶金刚石外延片用于制备的单晶金刚石基板。
主权项：1.一种单晶金刚石外延片，其特征在于，包括：籽晶层；生长于所述籽晶层上的叠层结构，所述叠层结构包括：沿第一方向层叠设置的掺杂层和外延层，所述掺杂层的材料为包含第一杂质的单晶金刚石，所述第一杂质在所述掺杂层中是替位式杂质，所述第一杂质可以排斥影响晶体质量的其他杂质的含量，所述第一杂质的掺杂浓度范围为1016cm3～1017cm3，所述外延层的材料包括单晶金刚石；其中，所述第一方向为垂直于所述籽晶层且远离所述籽晶层的方向；在最远离所述籽晶层的叠层结构中，所述掺杂层为第一掺杂层，靠近所述籽晶层的所述掺杂层为第二掺杂层，所述第一掺杂层的杂质浓度低于所述第二掺杂层的杂质浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳平湖实验室 单晶金刚石外延片及其制备方法
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