龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种In组分渐变的InGaN二极管及其制备方法，二极管包括：衬底层、N型层、本征层、渐变InGaN层、P型InN层、阴极和阳极，其中，衬底层、N型层、本征层、渐变InGaN层和P型InN层自下而上依次设置；渐变InGaN层中In的含量自下而上依次减小。本发明通过P型InN层作为二极管的P型区，缩短二极管的响应时间，并降低二极管的开启电压。并通过In含量渐变的渐变InGaN层，以降低P型InN层和本征层之间的晶格失配，提高P型InN层的载流子‑空穴传输效率。本发明提供的二极管在不影响反向击穿特性的同时，提高了正向特性，降低了开启电压，减小了导通电阻，大幅度提升器件的高频特性。
主权项：1.一种In组分渐变的InGaN二极管，其特征在于，包括：衬底层、N型层、本征层、渐变InGaN层、P型InN层、阴极和阳极，其中，所述衬底层、所述N型层、所述本征层、所述渐变InGaN层和所述P型InN层自下而上依次设置；所述渐变InGaN层中In的含量自下而上依次减小；所述阴极设置在所述N型层的上表面，且位于所述本征层的两侧；所述阳极设置在所述P型InN层的上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种In组分渐变的InGaN二极管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号