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申请/专利权人：王晓靁
摘要：本发明公开一种RGBInGaN基microLED的制作方法，步骤如下：对外延芯片材料进行前处理，在外延芯片上沉积隔离层，在同一片外延芯片上将两种或三种颜色光组件对应的LED外延区隔离层去除，制成区块槽，分别至少有一种及两种组件对应的区块槽底部成长用于调变外延晶格常数的中介层，在区块槽中进行LED外延工序。本发明还公开了制作的器件。本发明可以实现依序或同时在同一外延芯片上完成两种或三种InGaNLED组件的外延工序，并完成其余组件所需工序，巨量转移工序将获得有效的减省。针对发光组件导入备援修补设计，大幅降低后续修复工序的复杂度及成本，有效地提升良品率。
主权项：1.一种RGBInGaN基microLED的制作方法，其特征在于：用于制作由复数RGBInGaNLED组件构成的microLED器件，其RGBInGaNLED组件中的两种或三种颜色光组件在同一片外延芯片上完成组件制作，并按照成品所需的布局设计分布，其步骤如下：第一步，对外延芯片材料进行外延成长等级抛光，并经由适当前处理作为后续制造程序的准备；第二步，蒸镀，在外延芯片上沉积具有电气绝缘性、可见光穿透性及非结晶质的氧化物或氮化物或碳化物作为各颜色光组件的外延区隔离层；第三步，蚀刻，在同一片外延芯片上将两种或三种颜色光组件对应的LED外延区隔离层去除，制成区块槽；第四步，择区，分别至少有一种及两种组件对应的区块槽底部成长用于调变外延晶格常数的中介层；中介层由底层和表层所构成，底层由单一种类的2D材料构成或者由复数种类的2D材料构成复合层，表层披覆在底层上，表层为含Al或Ga或In元素的氮化物所构成，氮化物表层厚度控制在20nm左右；通过2D材料及氮化物晶格调变，使得不同颜色光组件外延工序温度参数一致；第五步，在区块槽中进行LED外延工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 王晓靁 一种RGB InGaN基micro LED的制作方法及其制作的器件
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