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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明公开了一种InGaN基可见光探测器及其制备方法和应用。本发明的InGaN基可见光探测器的组成包括依次层叠设置的背电极层、Si晶圆衬底、InGaN‑In2X3复合纳米柱层和表面电极层。本发明的InGaN基可见光探测器的制备方法包括以下步骤：1在Si晶圆衬底的单面制备InGaN纳米柱阵列；2制备InGaN‑In2X3复合纳米柱层；3蒸镀背电极层；4蒸镀表面电极层。本发明的InGaN基可见光探测器具有响应速度快、探测性能优异等优点，且其制备方法简单、可控，适合进行大规模工业化应用。
主权项：1.一种InGaN基可见光探测器，其特征在于，组成包括依次层叠设置的背电极层、Si晶圆衬底、InGaN-In2X3复合纳米柱层和表面电极层；所述InGaN-In2X3复合纳米柱层的组成包括由若干InGaN纳米柱构成的InGaN纳米柱阵列，还包括包覆在InGaN纳米柱表面的In2X3壳层，X为硫属元素；所述InGaN-In2X3复合纳米柱层是由包括以下步骤的制备方法制成：采用化学气相沉积法使InGaN纳米柱阵列表层的InGaN转化为In2X3，并通过调控硫化时间来控制In2X3的含量比例。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种InGaN基可见光探测器及其制备方法和应用
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