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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明涉及一种基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件，属于半导体器件技术领域，自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，所述势垒层两侧GaN沟道层上方分别设置有源电极和漏电极，所述势垒层上方在源电极和漏电极之间依次设置有钝化层、栅电极和钝化层，所述栅电极下方与势垒层之间设置有In组分阶梯式变化的p‑InGaN栅极结构层。本发明将In组分阶梯式变化的材料应用于栅极结构，提高了栅下能带，降低了栅下二维电子气（2DEG）浓度，提高了器件的阈值电压，增强了器件的可靠性。
主权项：1.一种基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，所述势垒层两侧GaN沟道层上方分别设置有源电极和漏电极，所述势垒层上方在源电极和漏电极之间依次设置有钝化层、栅电极和钝化层，所述栅电极下方与势垒层之间设置有In组分阶梯式变化的p-InGaN栅极结构层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件
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