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申请/专利权人：聚灿光电科技股份有限公司;天津工业大学
摘要：本发明涉及一种具有折叠状量子阱层的InGaN基红光LED外延薄膜结构，旨在解决现行红光LED技术中材料匹配性、制程复杂性及光衰减等问题。通过特殊设计的折叠型量子阱层、应力释放层与多孔结构，本发明不仅显著提升了红光LED的发光波长至600nm~620nm区间，还改善了外延整体的垒晶质量，有效释放了应力。此外，通过优化外延层结构和参数，进一步提高了LED的发光效率和稳定性。本发明为红光LED的发展提供了创新的技术方案，具有重要的应用价值和发展潜力。
主权项：1.一种具有折叠状量子阱层的InGaN基红光LED外延薄膜结构，其特征在于，包括：蓝宝石图形化衬底；复合缓冲层，设置在所述蓝宝石图形化衬底上；uGaN层，设置在所述复合缓冲层上；应力释放和多孔结构生成层，设置在所述uGaN层上，其包括u-InGaNH2etchingGaN的多层结构，用于释放应力并形成多孔结构；GaN盖层，设置在所述应力释放和多孔结构生成层上；N型GaN层循环结构，设置在所述GaN盖层上，采用低温生长方式形成凹凸表面；第三应力释放层，设置在所述N型GaN层循环结构上；折叠型量子阱层，设置在所述第三应力释放层上，为InN层、量子阱以及量子阱势垒的循环结构，其循环数控制在5-20，所述InN层厚度控制在0.5~1.0nm，所述量子阱为厚度控制在2-3nm的InGaN,In的掺杂浓度控制在30%~35%，所述量子阱势垒包括Barrier1和Barrier2，其中Barrier1为厚度控制在1-2nm的AlGaN，Al掺杂浓度控制在20%~25%，Barrier2为厚度控制在2-3nm的GaN；LT-pGaN层、EBL、HT-pGaN层以及P型接触层，依次设置在所述折叠型量子阱层上；其中，所述折叠型量子阱层的设计使得LED的发光峰值波长控制在600nm~620nm区间的红光波段。
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