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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种氧化限制结构的808nm半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域。器件由下到上依次包括N‑型欧姆接触电极、衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、Alx6Ga1‑x6As高Al组分层和欧姆接触层，Alx6Ga1‑x6As高Al组分层和欧姆接触层之间设置有氧化物绝缘限制层，氧化物绝缘限制层上侧设置有P‑型欧姆接触电极。本发明采用薄P限制层极端双不对称结构设计，在P限制层与帽层之间添加高Al组分层来补偿极薄限制层可能导致的基模场泄漏，从而压缩光场，降低损耗，提高输出功率和转换效率。
主权项：1.一种氧化限制结构的808nm半导体激光器件，其特征在于，由下到上依次包括N-型欧姆接触电极、衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、上限制层、Alx6Ga1-x6As高Al组分层和欧姆接触层，Alx6Ga1-x6As高Al组分层和欧姆接触层之间设置有氧化物绝缘限制层，氧化物绝缘限制层上侧设置有P-型欧姆接触电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种氧化限制结构的808nm半导体激光器件及其制备方法
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