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申请/专利权人：上海华大九天信息科技有限公司
摘要：一种包含多退化效应的半导体器件的寿命估算方法，包括以下步骤：获得每一种退化效应的半导体器件预估寿命值；采用如下计算模型计算得到多种退化效应同时存在时的半导体器件预估寿命值，其中，τall为半导体器件存在多种退化效应时的预估寿命值，τi为第i种退化效应的预估寿命值，n为大于1的正整数，i为大于等于1的正整数。本发明提供的方法简单、实用，能够比较容易的计算和建模，不用求解繁杂的方程组和数组矩阵，避免了建模之后的计算不收敛问题；能够有效的将多种效应考虑进去，并且得到一个合理的寿命结果。
主权项：1.一种包含多退化效应的半导体器件的寿命估算方法，其特征在于，包括以下步骤：获得每一种退化效应的半导体器件预估寿命值；采用如下计算模型计算得到多种退化效应同时存在时的半导体器件预估寿命值， 其中，τall为半导体器件存在多种退化效应时的预估寿命值，τi为第i种退化效应的预估寿命值，n为大于1的正整数，i为大于等于1的正整数；对不断引入的新的单个效应进行预估寿命值计算，最终得到包含所有退化效应的半导体器件预估寿命值。
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百度查询： 上海华大九天信息科技有限公司 一种包含多退化效应的半导体器件的寿命估算方法
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