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申请/专利权人:成都高投芯未半导体有限公司
摘要:本申请提供了一种晶圆背面制程异常处理方法和重加工晶圆,涉及晶圆加工技术领域。该晶圆背面制程异常处理方法包括在制程异常的晶圆的正面贴膜。去除晶圆背面的异常层以形成背面重加工的初始层;在初始层上依次进行离子注入、退火和表面金属化。该方法可以减少晶圆的报废率,节约成本。
主权项:1.一种晶圆背面制程异常处理方法,其特征在于,包括:在制程异常的晶圆的正面贴膜;去除晶圆背面的异常层以形成背面重加工的初始层;在所述初始层上依次进行离子注入、退火和表面金属化。
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百度查询: 成都高投芯未半导体有限公司 晶圆背面制程异常处理方法和重加工晶圆
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