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申请/专利权人：山东有研艾斯半导体材料有限公司
摘要：本发明公开了一种改善12英寸硅晶圆边缘形貌的加工方法，包括以下步骤：第一步：对线切割后硅晶圆进行初步筛选，要求厚度为868μm，硅晶圆直径302±0.1mm；第二步：进行一次粗倒角加工，使用砂轮为T型，粗倒砂轮粒径为800目，倒角角度为22～23°，晶圆直径目标值为301±0.1mm。第三步：倒角后晶圆送至双面研磨加工，加工完成后碱腐蚀清洗；第四步：硅晶圆送至精磨削机进行精磨，加工完成后进行碱腐蚀清洗；第五步：硅晶圆进行二次倒角粗倒和精倒加工，所使用的砂轮为T型，粗倒砂轮粒径为1500目，精倒砂轮粒径为2000目；倒角角度为21～23°，晶圆目标直径为300mm，加工采取粗倒1次，精倒4次，粗倒去除量为0.6mm，精倒每次去除量为0.1mm。
主权项：1.一种改善12英寸硅晶圆边缘形貌的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：对线切割后硅晶圆进行初步筛选，要求厚度为868μm，硅晶圆直径302±0.1mm；第二步：进行一次粗倒角加工，使用砂轮为T型，粗倒砂轮粒径为800目，倒角角度为22-23°，晶圆直径目标值为301±0.1mm。第三步：倒角后晶圆送至双面研磨加工，加工完成后碱腐蚀清洗；第四步：硅晶圆送至精磨削机进行精磨，加工完成后进行碱腐蚀清洗；第五步：硅晶圆进行二次倒角粗倒和精倒加工，所使用的砂轮为T型，粗倒砂轮粒径为1500目，精倒砂轮粒径为2000目；倒角角度为21-23°，晶圆目标直径为300mm，加工采取粗倒1次，精倒4次，粗倒去除量为0.6mm，精倒每次去除量为0.1mm。
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