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申请/专利权人:南通大学
摘要:本发明公开了一种深度学习技术驱动的InGaAsFinFET器件性能预测方法,首先选择更具代表性的工艺参数,并利用TCAD仿真生成大量的仿真数据,然后搭建适配InGaAsFinFET器件数据的PReLUNet深度学习网络模型,并使用仿真数据对模型进行预训练,使模型捕获到工艺参数与器件性能之间的潜在复杂关系,确保模型初步具备预测能力。接着通过少量实验数据集对模型进行微调校准,提升模型的预测精度和可解释性。本发明显著减少了对大量昂贵的实验数据的依赖,使模型能够在有限计算资源下找到实现InGaAsFinFET器件的最佳参数配置,从而加速器件设计阶段的迭代与优化,促进半导体器件设计的发展。
主权项:1.一种深度学习技术驱动的InGaAsFinFET器件性能预测方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:确定InGaAsFinFET器件的仿真工艺流程及目标工艺参数;S2:使用半导体仿真软件进行器件工艺仿真,获得相应的器件结构;S3:使用半导体仿真软件分析已搭建器件的电学性能,并校准物理模型保证仿真结果与实验结果相符;S4:导出仿真部分器件的相关工艺参数和转移特性曲线相关数据,并整理相关实验工艺数据及实验所得的转移特性曲线数据,为后续神经网络模型的训练提供数据;S5:对器件仿真数据进行分析,构建适配的PReLUNet深度学习神经网络模型预测InGaAsFinFET器件的电学性能;S6:对器件的相关工艺参数进行标准化处理,并将其作为PReLUNet深度学习神经网络模型的输入,然后对权重参数进行初始化,对隐藏层输出数据进行归一化处理,采用算法和优化器优化模型性能;S7:使用仿真数据对模型进行预训练,接着使用指标评估模型的精确度,并保存高精确度的PReLUNet神经网络模型,然后使用实验数据对模型进行微调,检测模型性能,得到训练完成的PReLUNet网络模型;S8:在需要仿真新的工艺参数数据时,调用训练完成的PReLUNet网络模型,实现对新数据的直接预测。
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百度查询: 南通大学 一种深度学习技术驱动的InGaAs FinFET器件性能预测方法
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