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制造具有减小的接触电阻的FINFET的方法 

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申请/专利权人:阿托梅拉公司

摘要:制造FINFET的方法可包括在半导体鳍中形成间隔开的源极和漏极区域,在它们之间具有延伸的沟道区域。可通过掺杂剂扩散阻挡超晶格将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域和上部区域,其中该上部区域具有与该下部区域相同的传导率和比该下部区域高的掺杂剂浓度。该方法还可包括在该沟道区域上形成栅极,在该上部区域上沉积至少一个金属层,和施加热以使非半导体原子从非半导体单层向上运动从而与该至少一个金属层反应以在该上部区域和该至少一个金属层的相邻部分之间形成接触绝缘界面。

主权项:1.用于制造FINFET的方法,包括:在半导体鳍中形成间隔开的源极和漏极区域,在它们之间具有延伸的沟道区域,通过掺杂剂扩散阻挡超晶格将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域和上部区域,其中该上部区域具有与该下部区域相同的传导率和比该下部区域高的掺杂剂浓度,该掺杂剂扩散阻挡超晶格包含各自的多个堆叠的层组,每个层组包含限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层,和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个氧单层;在该沟道区域上形成栅极;在该上部区域上沉积至少一个金属层;和施加热以使氧原子从氧单层向上运动从而与该至少一个金属层反应以在该上部区域和该至少一个金属层的相邻部分之间形成接触绝缘界面。

全文数据:

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