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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种FinFET结构中的Fin形貌设计方法，位于基底上的多个Fin结构，Fin结构及其上的缓冲层、硬掩膜层构成叠层；叠层侧壁覆盖第一侧墙；沉积有机分布层并刻蚀至将Fin结构侧壁的一部分暴露；继续沉积有机分布层，将Fin结构的部分包裹；在叠层侧壁形成第二侧墙；将有机分布层全部去除，与有机分布层接触的Fin结构侧壁部分被暴露；利用FCVD法沉积氧化层并退火，暴露出的Fin结构在退火过程中由于被氧化其宽度变窄；刻蚀去除硬掩膜层、缓冲层及第二侧墙。本发明通过FCVD将用作NMOS和PMOS的Fin结构中的部分氧化以减小其宽度，得到宽度变窄的抗穿通区域，针对该部分抗穿通区域可以使用更少的掺杂或不使用掺杂。通过缩小抗穿通区域的宽度，可以获得更好的短沟道效应。
主权项：1.一种FinFET结构中的Fin形貌设计方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供基底，在所述基底上刻蚀形成多个Fin结构，所述Fin结构上形成有缓冲层；所述缓冲层上形成有硬掩膜层；所述Fin结构、缓冲层以及硬掩膜层构成叠层；所述叠层的侧壁覆盖有第一侧墙；步骤二、沉积覆盖所述叠层及其上所述第一侧墙、所述硅基底上表面的有机分布层；之后沿所述叠层的侧壁刻蚀所述有机分布层以及所述第一侧墙至将所述Fin结构的侧壁部分暴露为止；所述Fin结构的底部仍保留一部分所述第一侧墙；所述硅基底上仍剩余所述有机分布层；步骤三、在剩余的所述有机分布层上继续沉积有机分布层，使其将所述Fin结构的一部分包裹；之后在所述有机分布层上方的所述Fin结构部分、所述缓冲层以及所述硬掩膜层的侧壁形成第二侧墙；步骤四、将所述有机分布层全部去除，与所述有机分布层直接接触的所述Fin结构的侧壁部分被暴露；步骤五、利用FCVD的方法沉积一层氧化层，所述氧化层覆盖被暴露出的所述Fin结构部分，之后进行退火处理，暴露出的所述Fin结构在退火过程中由于被氧化其宽度变窄；步骤六、刻蚀去除所述硬掩膜层、缓冲层以及第二侧墙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种FinFET结构中的Fin形貌设计方法
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