龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司;中国科学院上海技术物理研究所
摘要：本发明公开了一种InGaAs探测器及其制造方法，该InGaAs探测器包括衬底、生长于衬底上的外延结构和与外延结构连接的金属电极，外延结构具有刻蚀的台阶部，台阶部的上表面和外延结构的侧面覆盖介质钝化层，金属电极贯穿介质钝化层；外延结构包括依次生长在衬底上的N型缓冲层、本征吸收层和钝化结构层，N型缓冲层覆盖于衬底上，本征吸收层覆盖N型缓冲层的上表面的部分区域；钝化结构层中的i型隧穿化学钝化层覆盖于吸收层上，P型场钝化层位于i型隧穿化学钝化层的上表面的部分区域。本发明不需要通过杂质扩散的方法即可获得平面型InGaAs探测器结构，且依次外延生长的i型隧穿化学钝化层和P型场钝化层构成的钝化结构层，增强了界面钝化效果。
主权项：1.一种InGaAs探测器，其特征在于，所述InGaAs探测器包括衬底、生长于所述衬底上的外延结构和与所述外延结构连接的金属电极，所述外延结构具有刻蚀的台阶部，所述台阶部的上表面和所述外延结构的侧面覆盖介质钝化层，所述金属电极贯穿所述介质钝化层；所述外延结构包括依次生长在所述衬底上的N型缓冲层、本征吸收层和钝化结构层，所述N型缓冲层覆盖于所述衬底上，所述本征吸收层覆盖所述N型缓冲层的上表面的部分区域；所述钝化结构层包括i型隧穿化学钝化层和P型场钝化层；所述i型隧穿化学钝化层覆盖于所述本征吸收层上且与所述本征吸收层接触，所述P型场钝化层位于所述i型隧穿化学钝化层的上表面的部分区域；所述i型隧穿化学钝化层的晶格常数和所述本征吸收层的晶格常数相同，且所述i型隧穿化学钝化层的禁带宽度大于所述本征吸收层的禁带宽度；其中，所述i型隧穿化学钝化层为In0.52Al0.48As，所述P型场钝化层为In0.53Ga0.47As。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡中科德芯感知科技有限公司 中国科学院上海技术物理研究所 InGaAs探测器及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号