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申请/专利权人：上海大学

摘要：本发明涉及一种基于掺杂氮化铝薄膜的MFIS型Fe‑FinFET器件及其制备方法，属于半导体技术和制造领域。所述MFIS型Fe‑FinFET器件包括：衬底、鳍式结构、第一氧化层、第二氧化层、源极区、源极电极、第一通孔、源极接触点、介质层、铁电层、栅极电极、第二通孔、栅极接触点、漏极区、漏极电极、第三通孔、漏极接触点和钝化保护层；本发明能够制备基于掺杂氮化铝薄膜的MFIS型Fe‑FinFET器件，增强了栅极结构对沟道电导的控制，降低了漏电流以及器件的功耗，提高了器件的速度，有效缓解了短沟道效应，栅极长度的显著缩短为提高基于掺杂氮化铝薄膜的FeFET器件的集成度提供了可能性。

主权项：1.一种基于掺杂氮化铝薄膜的MFIS型Fe-FinFET器件，其特征在于，包括：衬底101；设置于衬底101上表面的鳍式结构104；设置于衬底101上表面的第一氧化层106和第二氧化层107，二者被所述鳍式结构104分隔开；设置于第一氧化层106、第二氧化层107上表面的栅极叠层结构，其三面包围鳍式结构104，进而将鳍式结构104分为被栅极叠层结构三面包围的中间鳍式结构，以及未被栅极叠层结构三面包围的第一鳍式结构和第二鳍式结构，所述第一鳍式结构为源极区113，所述第二鳍式结构为漏极区114；设置于源极区113上表面的源极电极111；设置于漏极区114上表面的漏极电极112；完全覆盖第一氧化层106、第二氧化层107、栅极叠层结构、源极区113和漏极区114的钝化保护层115，所述钝化保护层115还分别开设有与源极电极111相连通的第一通孔1151、与栅极叠层结构相连通的第二通孔1152、与漏极电极112相连通的第三通孔1153，所述第一通孔1151、第二通孔1152和第三通孔1153分别填充有导电介质；分别设置于第一通孔1151、第二通孔1152和第三通孔1153上端的源极接触点3011、栅极接触点3012和漏极接触点3013，所述源极接触点3011、栅极接触点3012和漏极接触点3013与填充于第一通孔1151、第二通孔1152和第三通孔1153内的导电介质相连；其中，所述栅极叠层结构包括由内向外依次叠加的介质层108、铁电层109和栅极电极110，所述介质层108三面包围鳍式结构104。

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