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申请/专利权人：苏州焜原光电有限公司
摘要：本发明公开了一种InGaAs高速光电探测器结构及制备方法。所述的一种InGaAs高速光电探测器结构包括InP衬底，及在InP衬底上由下至上依次生长的下欧姆接触层和下窗口层、下能带过渡层、吸收层、上能带过渡层、上窗口层和上欧姆接触层，所述下欧姆接触层和下窗口层为高掺杂n型InP层，所述下能带过渡层及所述上能带过渡层均为InGaAsP层，所述吸收层的材料为不掺杂或低掺杂InGaAs层，所述上窗口层为高掺杂p型InP层，所述上欧姆接触层为高掺杂p型InGaAs层。本发明提供的InGaAs高速光电探测器结构和制备方法，能够提高内量子效率的同时，提高器件带宽。
主权项：1.一种InGaAs高速光电探测器结构，其特征在于，包括InP衬底，及在InP衬底上由下至上依次生长的下欧姆接触层和下窗口层、下能带过渡层、吸收层、上能带过渡层、上窗口层和上欧姆接触层，所述下窗口层和欧姆接触层为高掺杂n型InP层，所述下能带过渡层及所述上能带过渡层均为InGaAsP层，所述吸收层的材料为不掺杂或低掺杂InGaAs层，所述上窗口层为高掺杂p型InP层，所述上欧姆接触层为高掺杂p型InGaAs层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州焜原光电有限公司 一种InGaAs高速光电探测器结构及制备方法
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