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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括：第一半导体结构，其包括在第一衬底上的电路元件、在电路元件上的下互连结构、以及在下互连结构上的下接合结构；以及第二半导体结构，其包括：在第一半导体结构上的第二衬底、分隔第二衬底并且被设置为彼此间隔开的分隔绝缘图案、堆叠以彼此间隔开的栅电极、穿过栅电极并且被设置为彼此间隔开的分隔区域、穿过栅电极的沟道结构、在栅电极下方的上互连结构、以及接合到下接合结构的上接合结构，其中，分隔绝缘图案包括在分隔区域上的第一分隔绝缘图案、以及在沟道结构之间并穿过第二衬底的第二分隔绝缘图案。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一半导体结构，其包括第一衬底、在所述第一衬底上的电路元件、电连接到所述电路元件的下互连结构、以及电连接到所述下互连结构的下接合结构；以及第二半导体结构，其包括：在所述第一半导体结构上的第二衬底，将所述第二衬底分隔成多个部分、在第一方向上延伸、并且被设置为在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此间隔开的分隔绝缘图案，堆叠以在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上彼此间隔开的栅电极，穿过所述栅电极、在所述第一方向上延伸、并且被设置为在所述第二方向上彼此间隔开的分隔区域，穿过所述栅电极、在所述第三方向上延伸、并且分别包括沟道层的沟道结构，在所述栅电极和所述沟道结构下方的上互连结构，以及连接到所述上互连结构并接合到所述下接合结构的上接合结构，其中，所述分隔绝缘图案包括连接到所述分隔区域的第一分隔绝缘图案、以及在所述沟道结构之间并穿过所述第二衬底的第二分隔绝缘图案。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统
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