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发光二极管外延片的加工方法 

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申请/专利权人:华灿光电(苏州)有限公司

摘要:本公开提供了一种发光二极管外延片的加工方法,属于半导体技术领域。加工方法包括:提供一外延片;在外延片的表面涂覆一层光刻胶;根据外延片的类型,在外延片表面设置不同类型的光刻版;通过光刻版对外延片进行曝光显影,在外延片的有效芯片区域形成图案;去除光刻胶;检查外延片的有效芯片区域内的图案是否满足要求;若外延片的有效芯片区域内的图案满足要求,对外延片进行刻蚀、腐蚀、或蒸镀处理,以去除外延片的无效芯片区域。采用该加工方法,无需人工吸除无效管芯区域,避免了人工吸除无效管芯造成的人力浪费、以及后道加吸去圈造成的管芯浪费,有效的提高了芯片制程的效率,自动去除LED外延片外圈的无效管芯区域。

主权项:1.一种发光二极管外延片的加工方法,其特征在于,所述加工方法包括:提供一外延片,所述外延片包括有效芯片区域和无效芯片区域;在所述外延片的表面涂覆一层光刻胶;根据所述外延片的类型,在所述外延片表面设置不同类型的光刻版,所述光刻版包括一环状本体,所述环状本体中部的镂空区域的形状和面积与所述外延片的有效芯片区域的形状和面积相同,且所述环状本体遮挡住所述外延片的无效芯片区域,所述环状本体的内壁上具有沿所述环状本体的周向等距间隔布置的八个凸起,所述八个凸起均沿所述环状本体的径向向内延伸,每个所述凸起的横截面均为梯形;通过所述光刻版对所述外延片进行曝光显影,在所述外延片的有效芯片区域形成图案;去除所述光刻胶;检查所述外延片的有效芯片区域内的图案是否满足要求;若所述外延片的有效芯片区域内的图案满足要求,对所述外延片进行刻蚀、腐蚀、或蒸镀处理,以去除所述外延片的无效芯片区域。

全文数据:

权利要求:

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