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改善内量子效率的发光二极管和显示面板 

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申请/专利权人:华灿光电(苏州)有限公司

摘要:本公开提供了一种改善内量子效率的发光二极管和显示面板,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型半导体层、有源层和p型半导体层;有源层包括从n型半导体层至p型半导体层的方向上依次层叠的第一有源子层、第二有源子层和第三有源子层,第一有源子层、第二有源子层和第三有源子层均包括交替层叠的至少一个量子阱层和至少一个量子垒层,量子垒层包括AlxGa1‑xInP层;第一有源子层、第二有源子层和第三有源子层的量子垒层的厚度依次减小,第一有源子层、第二有源子层和第三有源子层的AlxGa1‑xInP层中x依次减小。本公开实施例能改善有源层的利用率,提升发光二极管的内量子效率。

主权项:1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括依次层叠的n型半导体层20、有源层30和p型半导体层40;所述有源层30包括从所述n型半导体层20至所述p型半导体层40的方向上依次层叠的第一有源子层31、第二有源子层32和第三有源子层33,所述第一有源子层31、所述第二有源子层32和所述第三有源子层33均包括交替层叠的至少一个量子阱层301和至少一个量子垒层302,所述量子垒层302包括AlxGa1-xInP层;所述第一有源子层31、所述第二有源子层32和所述第三有源子层33的量子垒层302的厚度依次减小,所述第一有源子层31、所述第二有源子层32和所述第三有源子层33的AlxGa1-xInP层中x依次减小。

全文数据:

权利要求:

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