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申请/专利权人：瑶芯微电子科技(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种SiC肖特基功率二极管，自下而上包括：N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC隔离层以及N型4H‑SiC外延层；外延层厚度小于6μm；还包括：阴极欧姆接触金属，位于外延层上表面两侧，其下方外延层有N+注入区；倒梯形阳极凹槽，其四个内角周围的外延层有P+注入保护区；钝化层，其第一部分淀积在外延层未被刻蚀且未被阴极欧姆接触金属覆盖的上表面，其第二部分淀积在倒梯形阳极凹槽的底部中间；倒梯形阳极凹槽、钝化层的第一部分以及钝化层的第二部分覆盖阳极肖特基接触金属。本发明实现了3000V以上高压4H‑SiC肖特基功率二极管的产品化。
主权项：1.一种SiC肖特基功率二极管，其特征在于，包括：N型4H-SiC衬底；P型4H-SiC隔离层，堆叠于所述N型4H-SiC衬底上方；N型4H-SiC外延层，堆叠于所述P型4H-SiC隔离层上方；所述N型4H-SiC外延层的厚度小于6μm；两处阴极欧姆接触金属，分别位于所述N型4H-SiC外延层的上表面两侧；所述阴极欧姆接触金属下方的N型4H-SiC外延层注有N元素形成N+注入区；倒梯形阳极凹槽，为刻蚀所述N型4H-SiC外延层在水平方向的中部所形成，刻蚀深度小于所述N型4H-SiC外延层的厚度；所述倒梯形阳极凹槽的四个内角周围的N型4H-SiC外延层中注有Al元素，形成四个P+注入保护区；钝化层，包括两部分，第一部分淀积在所述N型4H-SiC外延层未被刻蚀且未被所述阴极欧姆接触金属覆盖的上表面，第二部分淀积在所述倒梯形阳极凹槽的底部中间；其中，所述倒梯形阳极凹槽的表面、所述钝化层的第一部分靠近所述倒梯形阳极凹槽的部分表面以及所述钝化层的第二部分的表面覆盖阳极肖特基接触金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 一种SiC肖特基功率二极管及其制备方法
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