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申请/专利权人：长飞先进半导体(武汉)有限公司
摘要：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该功率器件包括：碳化硅衬底；第一碳化硅外延层，其中，第一碳化硅外延层位于碳化硅衬底的一侧；迁移率增强半导体层，迁移率增强半导体层位于第一碳化硅外延层远离碳化硅衬底的一侧，其中，在同一预设温度下，迁移率增强半导体层的迁移率大于碳化硅的迁移率；第二碳化硅外延层，第二碳化硅外延层位于迁移率增强半导体层远离第一碳化硅外延层的一侧；其中，第二碳化硅外延层远离迁移率增强半导体层的表面设置体区和有源区；平面栅结构，平面栅结构位于第二碳化硅外延层远离迁移率增强半导体层的表面。本发明实施例提供的技术方案降低了功率器件的导通电阻。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：碳化硅衬底；第一碳化硅外延层，其中，所述第一碳化硅外延层位于所述碳化硅衬底的一侧；迁移率增强半导体层，所述迁移率增强半导体层位于所述第一碳化硅外延层远离所述碳化硅衬底的一侧，其中，在同一预设温度下，所述迁移率增强半导体层的迁移率大于碳化硅的迁移率；第二碳化硅外延层，所述第二碳化硅外延层位于所述迁移率增强半导体层远离所述第一碳化硅外延层的一侧；其中，所述第二碳化硅外延层远离所述迁移率增强半导体层的表面设置体区和有源区；平面栅结构，所述平面栅结构位于所述第二碳化硅外延层远离所述迁移率增强半导体层的一侧；源极，所述源极位于所述第二碳化硅外延层远离所述迁移率增强半导体层的一侧；漏极，所述漏极位于所述碳化硅衬底远离所述第一碳化硅外延层的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长飞先进半导体(武汉)有限公司 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
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