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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种肖特基MOSFET的形成方法，包括：在外延层内形成多个间隔的沟槽；在每个沟槽的上部分两侧的外延层内形成侧壁阱；在沟槽内依次形成栅介质层和栅多晶硅，栅介质层覆盖沟槽的侧壁及底壁；将每个侧壁阱均沿着远离沟槽的方向推进，从而形成更宽的侧壁阱，推进处理后的相邻侧壁阱之间具有一定的距离，从而形成多个间隔的阱区；在靠近阱区表面的阱区内形成源区；在源区的表面形成层间介质层；在层间介质层内形成通孔，通孔同时贯穿源区，延伸至相邻侧壁阱之间的外延层内；从通孔向通孔底部的外延层注入离子，以形成肖特基注入区域。本发明没有采用光刻胶遮盖外延层的表面也能形成间隔的阱区。从而减少了掩膜板的使用。同时，没有受到肖特基MOSFET尺寸的限制。
主权项：1.一种肖特基MOSFET的形成方法，其特征在于，包括：提供外延层，在所述外延层内形成多个间隔的沟槽；在每个所述沟槽的上部分两侧的外延层内形成侧壁阱；在所述沟槽内依次形成栅介质层和栅多晶硅，所述栅介质层覆盖所述沟槽的侧壁及底壁，所述栅多晶硅通过所述栅介质层与所述沟槽的侧壁及底壁隔开；将每个所述侧壁阱均沿着远离所述沟槽的方向推进，从而形成更宽的侧壁阱，推进处理后的相邻侧壁阱之间具有一定的距离，从而形成多个间隔的阱区；在靠近所述阱区表面的阱区内形成源区；在所述源区的表面形成层间介质层；在层间介质层内形成通孔，通孔同时贯穿所述源区，延伸至相邻侧壁阱之间的外延层内；从所述通孔向所述通孔底部的外延层注入离子，以形成肖特基注入区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 肖特基MOSFET的形成方法
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