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申请/专利权人：重庆大学
摘要：本发明公开一种超势垒栅肖特基整流器及其制造方法，整流器包括下电极层10、重掺杂第一导电类型衬底层20、第一导电类型外延层30、超势垒栅肖特基表面接触结构和上电极层50；制造方法步骤包括依次形成下电极层10、重掺杂第一导电类型衬底层20、第一导电类型外延层30、超势垒栅肖特基表面接触结构和上电极层50的步骤。本发明能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系，从而使该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
主权项：1.一种超势垒栅肖特基整流器，其特征在于：包括下电极层（10）、重掺杂第一导电类型衬底层（20）、第一导电类型外延层（30）、超势垒栅肖特基表面接触结构和上电极层（50）；所述重掺杂第一导电类型衬底层（20）覆盖于下电极层（10）之上；所述第一导电类型外延层（30）覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层（20）之上；所述超势垒栅肖特基表面接触结构覆盖于第一导电类型外延层（30）之上；所述超势垒栅肖特基表面接触结构包括超势垒栅结构和肖特基接触结构；所述超势垒栅结构和肖特基接触结构彼此并列接触排布；所述上电极层（50）覆盖于超势垒栅肖特基表面接触结构之上；所述肖特基接触结构包括肖特基势垒接触区（43）；所述肖特基势垒接触区（43）位于第一导电类型外延层（30）之上的部分表面；所述肖特基势垒接触区43延伸到超薄栅介质层（41）之下的部分区域；所述超势垒栅结构包括超薄栅介质层（41）、栅电极层（42）；所述超薄栅介质层（41）覆盖于第一导电类型外延层（30）之上的部分表面；所述栅电极层（42）为掺杂多晶层，覆盖于超薄栅介质层（41）之上；所述超薄栅介质层（41）还覆盖于肖特基势垒接触区（43）之上的部分表面；所述上电极层（50）覆盖于栅电极层（42）和肖特基势垒接触区（43）之上；所述超势垒栅结构具有正向MOS感应沟道导通功能；超势垒栅肖特基整流器还包括第二导电类型保护环及结终端区，所述第二导电类型保护环及结终端区为闭合状的环形结构；环形包围的中间区域为有源区；所述超势垒栅肖特基表面接触结构位于有源区内部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 一种超势垒栅肖特基整流器及其制造方法
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