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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本发明提供一种宽禁带太赫兹肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该肖特基二极管包括依次叠加的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和P型NiO终端。沟道层与势垒层形成异质结，二者界面接触处形成二维电子气。势垒层和沟道层的两侧刻蚀有阳极凹槽，阳极凹槽的底部位于沟道层中；阳极设置在阳极凹槽内，并与二维电子气形成肖特基接触。P型NiO终端位于势垒层背离沟道层的表面上两侧靠近阳极凹槽的位置，阳极延伸至P型NiO终端背离势垒层的表面上并覆盖P型NiO终端。该肖特基二极管具备导通电阻小、结电容小、截止频率大和非线性区间更大的特性。
主权项：1.一种宽禁带太赫兹肖特基二极管，其特征在于，包括依次叠加的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和P型NiO终端；所述沟道层与所述势垒层形成异质结，二者界面接触处形成二维电子气；所述势垒层和所述沟道层的两侧刻蚀有阳极凹槽，所述阳极凹槽的底部位于所述沟道层中；阳极设置在所述阳极凹槽内，并与所述二维电子气形成肖特基接触；所述P型NiO终端位于所述势垒层背离所述沟道层的表面上两侧靠近所述阳极凹槽的位置，所述阳极延伸至所述P型NiO终端背离所述势垒层的表面上覆盖所述P型NiO终端。
全文数据：
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