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申请/专利权人：安徽光智科技有限公司
摘要：本申请公开一种芯片制备方法，包括步骤：制备基底，基底包括层叠设置的功能层和衬底层，功能层背离衬底层的一侧表面包括相互连接的第一区域和第二区域；在第二区域形成扩散层；在扩散层背离衬底层一侧以及第一区域形成保护层；进行退火处理，以将功能层中与扩散层对应的部分转型；在两个保护层背离衬底层的一侧分别形成金属层。在功能层的第一区域形成保护层，在第二区域依次形成扩散层和保护层，使得退火过程中与扩散层对应的部分转型成P型区，P型区与原有的N型区相互连接形成PN结，可以增大PN结区域的体积，使得更多的电荷进入PN结区域进行分离，产生更多有效的光生电流，减少复合电流，提高芯片的量子效率。本申请还公开一种芯片。
主权项：1.一种芯片制备方法，其特征在于，包括步骤：S110，制备基底，基底包括层叠设置的功能层和衬底层，所述功能层背离所述衬底层的一侧表面包括相互连接的第一区域和第二区域；S120，在所述第二区域形成扩散层；S130，在所述扩散层背离所述衬底层一侧以及所述第一区域形成保护层；S140，进行退火处理，以将所述功能层中与所述扩散层对应的部分转型；S150，在两个所述保护层背离所述衬底层的一侧分别形成金属层，且所述金属层与所述功能层连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽光智科技有限公司 芯片及其制备方法
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